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零层光刻瞄准标帜的创造步骤

发稿时间:2021-09-20 作者:admin 来源:ob欧宝官方

  (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN102956617A (43)申请公布日 2013.03.06 (21)申请号 CN7.5 (22)申请日 2011.08.31 (71)申请人 上海华虹 NEC 电子有限公司 地址 201206 上海市浦东新区川桥路 1188 号 (72)发明人 吴智勇;刘鹏 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 刘昌荣 (51)Int.CI 权利要求说明书 说明书 幅图 (54)发明名称 零层光刻对准标记的制造方法 (57)摘要 本发明公开了一种零层光刻对准标记的制 造方法,包括步骤:1)形成零层光刻对准标记图 形;2)倒梯形沟槽的刻蚀;3)非选择性外延生 长,在沟槽内形成孔洞;4)化学机械研磨硅片表 面;5)刻蚀掉孔洞上方的硅,将孔洞暴露出来, 作为零层光刻对准标记。该方法利用非选择性外 延生长和化学机械研磨工艺来形成零层光刻对准 标记,不仅改善了超结器件的对准精确度,还同 时节约了器件的制造成本。 法律状态 法律状态公告日 2013-03-06 2013-04-03 2014-01-29 2015-06-03 法律状态信息 公开 实质审查的生效 专利申请权、专利权的转移 授权 法律状态 公开 实质审查的生效 专利申请权、专利权的转移 授权 权利要求说明书 零层光刻对准标记的制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看 说明书 零层光刻对准标记的制造方法的说明书内容是....请下载后查看

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